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IRFR4104TRLPBF  与  IRFR4104TRPBF  区别

型号 IRFR4104TRLPBF IRFR4104TRPBF
唯样编号 A3a-IRFR4104TRLPBF A3a-IRFR4104TRPBF-0
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.5mΩ@42A,10V 5.5mΩ@42A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 140W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK D-Pak
连续漏极电流Id 42A(Tc) 119A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2950pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 89nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 89nC @ 10V -
库存与单价
库存 9,000 4,341
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
3,000+ :  ¥4.972
6,000+ :  ¥4.906
20+ :  ¥3.344
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR4104TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥4.972 

阶梯数 价格
3,000: ¥4.972
6,000: ¥4.906
9,000 当前型号
IRFR4104TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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阶梯数 价格
20: ¥3.344
4,341 对比
IRFR4104TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥4.147 

阶梯数 价格
2,000: ¥4.147
4,000: ¥4.103
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IRFR4104TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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IRFR4104TRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IRFR4104TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比

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