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ZXMP6A18KTC  与  IRFR5305TRPBF  区别

型号 ZXMP6A18KTC IRFR5305TRPBF
唯样编号 A36-ZXMP6A18KTC A-IRFR5305TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 60 V 0.055 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - TO-252 MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 55mΩ@3.5A,10V 65mΩ@16A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 2.15W(Ta) 110W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 DPAK DPAK
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 10.4A 31A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1580pF @ 30V 1200pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 44nC @ 10V 63nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
库存与单价
库存 0 2,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMP6A18KTC Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 当前型号
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 2,000 对比
IRFR5305PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
TJ15S06M3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK+

暂无价格 0 对比
ZXMP6A18KQTC Diodes Incorporated 车规

暂无价格 0 对比

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