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ZXMN6A25KTC  与  TK8S06K3L(T6L1,NQ)  区别

型号 ZXMN6A25KTC TK8S06K3L(T6L1,NQ)
唯样编号 A36-ZXMN6A25KTC-0 A33-TK8S06K3L(T6L1,NQ)
制造商 Diodes Incorporated Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 6.22 mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ@3.6A,10V -
上升时间 4 ns -
产品状态 - 在售
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 400 pF @ 10 V
Vgs(th) - 3V @ 1mA
栅极电压Vgs ±20V -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 10 nC @ 10 V
封装/外壳 DPAK DPAK+
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 10.7A 8A(Ta)
配置 Single -
长度 6.73 mm -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
下降时间 10.6 ns -
高度 2.39 mm -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V 60 V
Pd-功率耗散(Max) 2.11W(Ta) 25W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 54 毫欧 @ 4A,10V
典型关闭延迟时间 26.2 ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 ZXMN -
通道数量 1 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1063pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20.4nC @ 10V -
典型接通延迟时间 3.8 ns -
库存与单价
库存 23,253 2,000
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
40+ :  ¥1.5741
100+ :  ¥1.2078
1,250+ :  ¥1.0296
2,500+ :  ¥0.8712
30+ :  ¥5.2033
50+ :  ¥3.603
100+ :  ¥3.076
500+ :  ¥2.7215
1,000+ :  ¥2.6448
2,000+ :  ¥2.5969
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN6A25KTC Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

6.73mm DPAK

¥1.5741 

阶梯数 价格
40: ¥1.5741
100: ¥1.2078
1,250: ¥1.0296
2,500: ¥0.8712
23,253 当前型号
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 110,000 对比
STD20NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 10,000 对比
TK8S06K3L(T6L1,NQ) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK+

¥5.2033 

阶梯数 价格
30: ¥5.2033
50: ¥3.603
100: ¥3.076
500: ¥2.7215
1,000: ¥2.6448
2,000: ¥2.5969
2,000 对比
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.608 

阶梯数 价格
20: ¥3.608
100: ¥3.003
1,152 对比
AOD444 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.595 

阶梯数 价格
40: ¥1.595
100: ¥1.221
139 对比

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