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ZXMN3B01FTA  与  BSS316NH6327XTSA1  区别

型号 ZXMN3B01FTA BSS316NH6327XTSA1
唯样编号 A36-ZXMN3B01FTA A-BSS316NH6327XTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 500mW(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 625mW(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 150mΩ@1.7A,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 258 pF @ 15 V 94pF @ 15V
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 2.93 nC @ 4.5 V -
封装/外壳 SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.7A(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 3.7uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.6nC @ 5V
驱动电压 2.5V,4.5V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 160 毫欧 @ 1.4A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.4A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 3,040 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.353
200+ :  ¥1.0406
1,500+ :  ¥0.9053
3,000+ :  ¥0.7865
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN3B01FTA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥1.353 

阶梯数 价格
40: ¥1.353
200: ¥1.0406
1,500: ¥0.9053
3,000: ¥0.7865
3,040 当前型号
BSH108,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH108_SOT23

暂无价格 2 对比
BSH108,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH108_SOT23

¥0.9466 

阶梯数 价格
580: ¥0.9466
1,000: ¥0.7338
1,500: ¥0.6015
3,000: ¥0.5419
0 对比
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