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ZXMN3A01FTA  与  RTR025N03TL  区别

型号 ZXMN3A01FTA RTR025N03TL
唯样编号 A36-ZXMN3A01FTA A36-RTR025N03TL
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 ZXMN3A01 Series 30 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.6 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 120mΩ@2.5A,10V 92mΩ@2.5A,4.5V
上升时间 - 15 ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 625mW(Ta) 1W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V 12V
典型关闭延迟时间 - 25 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 TSMT
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2A 2.5A
系列 - RTR
配置 - Single
通道数量 - 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 190pF @ 25V 220pF @ 10V
长度 - 2.9 mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V 4.6nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.5V,4.5V
下降时间 - 10 ns
典型接通延迟时间 - 9 ns
高度 - 0.85 mm
库存与单价
库存 5,885 2
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
40+ :  ¥1.364
200+ :  ¥1.0483
1,500+ :  ¥0.9108
3,000+ :  ¥0.792
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥1.364 

阶梯数 价格
40: ¥1.364
200: ¥1.0483
1,500: ¥0.9108
3,000: ¥0.792
5,885 当前型号
FDN335N ON Semiconductor 通用MOSFET

¥1.177 

阶梯数 价格
50: ¥1.177
200: ¥0.9042
1,500: ¥0.7865
3,000: ¥0.6842
7,415 对比
FDN335N ON Semiconductor 通用MOSFET

¥1.0593 

阶梯数 价格
50: ¥1.0593
200: ¥0.8138
317 对比
FDN335N ON Semiconductor 通用MOSFET

¥0.3535 

阶梯数 价格
1: ¥0.3535
25: ¥0.3048
100: ¥0.2626
261 对比
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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