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STW48N60DM2  与  R6046FNZ1C9  区别

型号 STW48N60DM2 R6046FNZ1C9
唯样编号 A36-STW48N60DM2-0 A33-R6046FNZ1C9
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 46A TO247
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 120W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 79mΩ@20A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 6230pF @ 25V
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-247-3 TO-247
连续漏极电流Id 40A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 98 毫欧 @ 23A,10V
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 46A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 600V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3250pF @ 100V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 150nC @ 10V
库存与单价
库存 7,067 3
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
4+ :  ¥16.2756
10+ :  ¥14.0283
600+ :  ¥13.365
3+ :  ¥64.48
购买数量

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