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STW48N60DM2  与  IPW65R080CFDA  区别

型号 STW48N60DM2 IPW65R080CFDA
唯样编号 A36-STW48N60DM2-0 A-IPW65R080CFDA
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 79mΩ@20A,10V 72mΩ
上升时间 - 18ns
漏源极电压Vds 600V 650V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 391W
Qg-栅极电荷 - 161nC
栅极电压Vgs ±25V 20V
典型关闭延迟时间 - 85ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 -
连续漏极电流Id 40A(Tc) 43.3A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -40°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCFDA
长度 - 16.13mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 6ns
典型接通延迟时间 - 20ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3250pF @ 100V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
高度 - 21.1mm
库存与单价
库存 7,067 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
4+ :  ¥16.2756
10+ :  ¥14.0283
600+ :  ¥13.365
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STW48N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

¥16.2756 

阶梯数 价格
4: ¥16.2756
10: ¥14.0283
600: ¥13.365
7,067 当前型号
R6046FNZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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阶梯数 价格
3: ¥64.48
3 对比
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