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SI4435DDY-T1-GE3  与  DMP3037LSS-13  区别

型号 SI4435DDY-T1-GE3 DMP3037LSS-13
唯样编号 A36-SI4435DDY-T1-GE3 A-DMP3037LSS-13
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 24mΩ -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),5W(Tc) 1.2W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 32mΩ@7A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 931 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 19.3 nC @ 10 V
封装/外壳 SOIC-8 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 8.1A 5.8A(Ta)
系列 SI -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 18,309 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
50+ :  ¥1.243
100+ :  ¥0.9526
1,250+ :  ¥0.8063
2,500+ :  ¥0.6842
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4435DDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 30V 8.1A 24mΩ

¥1.243 

阶梯数 价格
50: ¥1.243
100: ¥0.9526
1,250: ¥0.8063
2,500: ¥0.6842
18,309 当前型号
DMP3037LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1.2W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 5.8A(Ta)

¥1.21 

阶梯数 价格
50: ¥1.21
100: ¥0.935
1,250: ¥0.792
2,500: ¥0.671
6,478 对比
DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C SO-8 7.3A 2.5W 16mΩ@11A,20V 30V ±25V P-Channel

暂无价格 0 对比
DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C SO-8 7.3A 2.5W 16mΩ@11A,20V 30V ±25V P-Channel

暂无价格 0 对比
DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C SO-8 7.3A 2.5W 16mΩ@11A,20V 30V ±25V P-Channel

暂无价格 0 对比
DMP3037LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1.2W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 5.8A(Ta)

暂无价格 0 对比

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