| 制造商编号 | DMG4435SSS-13 |
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| 制 造 商 | Diodes(达尔) |
| 唯样编号 | A3-DMG4435SSS-13 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
P-Channel 30 V 20 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOP-8
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 5V,20V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 35.4nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1614pF @ 15V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C | |
| 封装/外壳 | SO-8 | |
| 连续漏极电流Id | 7.3A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W | |
| Qg-栅极电荷 | 35.4nC | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 16mΩ@11A,20V | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | ±25V | |
| 上升时间 | 12.7ns | |
| 下降时间 | 22.8ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 44.9ns | |
| 典型接通延迟时间 | 8.6ns | |
| 正向跨导 - 最小值 | 22S | |
| 系列 | DMG4435 | |
| FET类型 | P-Channel |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：2,500
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交期： 请咨询客服 |
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
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