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SI4425BDY-T1-E3  与  RRH100P03GZETB  区别

型号 SI4425BDY-T1-E3 RRH100P03GZETB
唯样编号 A36-SI4425BDY-T1-E3 A33-RRH100P03GZETB
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 SI4425BDY Series 30 V 0.012 Ohm 100 nC P-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 12mΩ 12.6mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.5W(Ta) 650mW(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOIC-8 8-SOIC
连续漏极电流Id 8.8A 10A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3600pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 68nC @ 10V
库存与单价
库存 0 4,346
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥10.5024
50+ :  ¥5.9603
100+ :  ¥5.3949
500+ :  ¥5.0116
1,000+ :  ¥4.9446
2,000+ :  ¥4.8871
4,000+ :  ¥4.8583
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4425BDY-T1-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 8.8A(Ta) ±20V 1.5W(Ta) 12m Ohms@11.4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 30V 8.8A 12mΩ

暂无价格 0 当前型号
RRH100P03GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

P-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 650mW(Ta) 12.6mΩ@10A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC

¥10.5024 

阶梯数 价格
20: ¥10.5024
50: ¥5.9603
100: ¥5.3949
500: ¥5.0116
1,000: ¥4.9446
2,000: ¥4.8871
4,000: ¥4.8583
4,346 对比
RRH100P03GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

P-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 650mW(Ta) 12.6mΩ@10A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC

暂无价格 0 对比
AOSP21307 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V ±25V -14A 3.1W 11.5mΩ@10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AOSP21307 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V ±25V -14A 3.1W 11.5mΩ@10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AO4435_102 AOS  数据手册 功率MOSFET

10.5A(Ta) P-Channel ±25V 14 mΩ @ 11A,20V 8-SO 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

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