| 制造商编号 | SI4425BDY-T1-E3 |
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| 制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A36-SI4425BDY-T1-E3 |
| 供货 | 严选 |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
SI4425BDY Series 30 V 0.012 Ohm 100 nC P-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 系列 | TrenchFET® | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 8.8A(Ta) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 100nC @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.5W(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12m Ohms@11.4A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 8.8A | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12mΩ |
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高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器，符合车规AEC-Q101标准
电子产品在不同环境条件下进行温度控制的理想选择，响应时间低至t0.9≤2秒
16位高分辨率ALS具有出色的传感功能，具有足够的选择来满足大多数应用
漏电流低，稳定性高，可进行波峰焊和回流焊
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQA34P01 | 111,000 |
| LN4501LT1G | 45,000 |
| LP4101LT1G | 30,200 |
| PXN012-60QLJ | 18,390 |
| S-LN2306ELT1G | 18,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SI4425BDY-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 8.8A(Ta) ±20V 1.5W(Ta) 12m Ohms@11.4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 30V 8.8A 12mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RRH100P03GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
P-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 650mW(Ta) 12.6mΩ@10A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
￥10.5024
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4,346 | 对比 | ||||||||||||||||
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RRH100P03GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
P-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 650mW(Ta) 12.6mΩ@10A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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AOSP21307 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±25V -14A 3.1W 11.5mΩ@10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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AOSP21307 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±25V -14A 3.1W 11.5mΩ@10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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AO4435_102 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
10.5A(Ta) P-Channel ±25V 14 mΩ @ 11A,20V 8-SO 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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