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SI4202DY-T1-GE3  与  AO4832  区别

型号 SI4202DY-T1-GE3 AO4832
唯样编号 A36-SI4202DY-T1-GE3 A36-AO4832
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N-Channel 20 V 14 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-SOIC SO-8
连续漏极电流Id 12.1A 10A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs 14 mOhms @ 8A,10V 13mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.7W 2W
Vgs(th) 2.5V @ 250uA -
栅极电压Vgs - 20V
FET类型 2N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 3,900 0
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥3.432
100+ :  ¥2.86
1,250+ :  ¥2.596
2,500+ :  ¥2.486
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4202DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

12.1A 2N-Channel 14 mOhms @ 8A,10V 3.7W 8-SOIC -55℃~150℃ 30V

¥3.432 

阶梯数 价格
20: ¥3.432
100: ¥2.86
1,250: ¥2.596
2,500: ¥2.486
3,900 当前型号
DMG4800LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

16mΩ@9A,10V 1.17W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 30V 7.5A

¥1.43 

阶梯数 价格
40: ¥1.43
100: ¥1.1
1,250: ¥0.9328
2,500: ¥0.8635
25,291 对比
DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel

¥1.804 

阶梯数 价格
30: ¥1.804
100: ¥1.397
1,250: ¥1.21
2,080 对比
FDS6982AS ON Semiconductor 小信号MOSFET

20V 28mΩ@6.3A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 30V 6.3A,8.6A 6.3 A,8.6 A 30 V 14 m0hms,28 m0hms -20 V、+20 V 增强 1250 pF@ 10 V, 610 pF@ 10 V 5.0*3.99*1.5mm

暂无价格 0 对比
AO4832 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 10A 2W 13mΩ@10A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel

暂无价格 0 对比

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