制造商编号 | SI4202DY-T1-GE3 |
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制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
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唯样编号 | A36-SI4202DY-T1-GE3 |
供货 | 严选 |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
Dual N-Channel 20 V 14 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8
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PDF资料下载 |
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
连续漏极电流Id | 12.1A | |
FET类型 | 2N-Channel | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 14 mOhms @ 8A,10V | |
Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | |
Pd-功率耗散(Max) | 3.7W | |
封装/外壳 | 8-SOIC | |
工作温度 | -55℃~150℃ | |
漏源极电压Vds | 30V |
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SI4202DY-T1-GE3
严选库存:491
¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥3.641 总价:¥72.82 |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3天-15天 |
起订量:20 | 倍数:1 |
生产日期 : 2年内
高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器,符合车规AEC-Q101标准
电子产品在不同环境条件下进行温度控制的理想选择,响应时间低至t0.9≤2秒
16位高分辨率ALS具有出色的传感功能,具有足够的选择来满足大多数应用
漏电流低,稳定性高,可进行波峰焊和回流焊
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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CQA34P01 | 381,000 |
AONR21357_203 | 60,000 |
PXN012-60QLJ | 15,190 |
PJA3438-AU_R1_000A1 | 12,000 |
LN1482WT1G | 9,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI4202DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
12.1A 2N-Channel 14 mOhms @ 8A,10V 3.7W 8-SOIC -55℃~150℃ 30V |
¥3.641
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5,000 | 当前型号 | ||||||||||
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DMG4800LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
16mΩ@9A,10V 1.17W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 30V 7.5A |
¥1.562
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25,291 | 对比 | ||||||||||
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DMN3015LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel |
¥1.804
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2,080 | 对比 | ||||||||||
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FDS6982AS | ON Semiconductor | 小信号MOSFET |
20V 28mΩ@6.3A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 30V 6.3A,8.6A 6.3 A,8.6 A 30 V 14 m0hms,28 m0hms -20 V、+20 V 增强 1250 pF@ 10 V, 610 pF@ 10 V 5.0*3.99*1.5mm |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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AO4832 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 10A 2W 13mΩ@10A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
![]() |
DMN3015LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |