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通用MOSFET   12.1A 2N-Channel 14 mOhms @ 8A,10V 3.7W 8-SOIC -55℃~150℃ 30V

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制造商编号 SI4202DY-T1-GE3
制 造 商 Vishay(威世)  
授权代理品牌
唯样编号 A36-SI4202DY-T1-GE3
供货 严选
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
Dual N-Channel 20 V 14 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8
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参数 参数值 操作
商品目录 通用MOSFET
连续漏极电流Id 12.1A
FET类型 2N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs 14 mOhms @ 8A,10V
Vgs(th) 2.5V @ 250uA
Pd-功率耗散(Max) 3.7W
封装/外壳 8-SOIC
工作温度 -55℃~150℃
漏源极电压Vds 30V
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SI4202DY-T1-GE3

严选库存:491

库存 :  5,000

价格梯度 单价(含税)
20 + ¥3.641
100 + ¥2.805
1,250 + ¥2.431

整包(请按2500的倍数下单)

2,500 + ¥2.299
¥2  
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单价:3.641

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特殊说明

生产日期  :  2年内

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4202DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

12.1A 2N-Channel 14 mOhms @ 8A,10V 3.7W 8-SOIC -55℃~150℃ 30V

¥3.641 

阶梯数 价格
20: ¥3.641
100: ¥2.805
1,250: ¥2.431
2,500: ¥2.299
5,000 当前型号
DMG4800LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

16mΩ@9A,10V 1.17W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 30V 7.5A

¥1.562 

阶梯数 价格
40: ¥1.562
100: ¥1.199
1,250: ¥1.0197
2,500: ¥0.8635
25,291 对比
DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel

¥1.804 

阶梯数 价格
30: ¥1.804
100: ¥1.397
1,250: ¥1.21
2,080 对比
FDS6982AS ON Semiconductor 小信号MOSFET

20V 28mΩ@6.3A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 30V 6.3A,8.6A 6.3 A,8.6 A 30 V 14 m0hms,28 m0hms -20 V、+20 V 增强 1250 pF@ 10 V, 610 pF@ 10 V 5.0*3.99*1.5mm

暂无价格 0 对比
AO4832 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 10A 2W 13mΩ@10A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel

暂无价格 0 对比
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