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RTR040N03TL  与  DMN3150L-7  区别

型号 RTR040N03TL DMN3150L-7
唯样编号 A36-RTR040N03TL A36-DMN3150L-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 RTR020N05 Series N-Channel 30 V 48 mOhm 1 W Surface Mount Mosfet - TSMT-3 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.60mm 1.3 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 48mΩ 85mΩ@3.6A,4.5V
上升时间 18ns 3.49 ns
漏源极电压Vds 30V 28V
Pd-功率耗散(Max) 1W 1.4W(Ta)
栅极电压Vgs 12V ±12V
典型关闭延迟时间 37ns 15.02 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TSMT SOT-23
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4A 3.8A
系列 RTR040N03 DMN
通道数量 1Channel 1 Channel
配置 Single Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA 1.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 475pF @ 10V 305pF @ 5V
长度 2.9mm 2.9 mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.3nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,10V
下降时间 19ns -
典型接通延迟时间 10ns 1.14 ns
高度 0.85mm 1 mm
库存与单价
库存 3 33,924
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
90+ :  ¥0.5753
200+ :  ¥0.4394
1,500+ :  ¥0.3822
3,000+ :  ¥0.338
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RTR040N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TSMT 2.9mm

暂无价格 3 当前型号
DMN3404L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

¥0.3238 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.3238
120,000 对比
DMN3150L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

2.9mm SOT-23

暂无价格 48,000 对比
IRLML2502TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.6578 

阶梯数 价格
80: ¥0.6578
200: ¥0.5356
1,500: ¥0.4862
3,000: ¥0.455
46,837 对比
DMN3051L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 35,000 对比
DMN3150L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

2.9mm SOT-23

¥0.5753 

阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.4394
1,500: ¥0.3822
3,000: ¥0.338
33,924 对比

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