首页 > 商品目录 > > > > RQ3E180GNTB代替型号比较

RQ3E180GNTB  与  AON7516  区别

型号 RQ3E180GNTB AON7516
唯样编号 A36-RQ3E180GNTB A36-AON7516-1
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 83
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.3mΩ@18A,10V 4.5mΩ@10V
上升时间 6.9ns -
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 6.8mΩ
Qg-栅极电荷 22.4nC -
Qgd(nC) - 5.5
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 17S -
Td(on)(ns) - 7
封装/外壳 HSMT-8 DFN 3x3 EP
连续漏极电流Id 18A 30A
工作温度 -55°C~150°C -
配置 Single -
Ciss(pF) - 1229
下降时间 10.2ns -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 12.6
Td(off)(ns) - 24
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 25W
Qrr(nC) - 15.2
VGS(th) - 2.2
典型关闭延迟时间 56.8ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 1Channel -
典型接通延迟时间 16.5ns -
Coss(pF) - 526
Qg*(nC) - 12
库存与单价
库存 2,991 23,786
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥2.475
100+ :  ¥1.991
750+ :  ¥1.76
1,500+ :  ¥1.661
40+ :  ¥1.2969
100+ :  ¥0.9999
1,250+ :  ¥0.8316
2,500+ :  ¥0.7554
5,000+ :  ¥0.693
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥2.475 

阶梯数 价格
30: ¥2.475
100: ¥1.991
750: ¥1.76
1,500: ¥1.661
2,991 当前型号
AON7516 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥1.2969 

阶梯数 价格
40: ¥1.2969
100: ¥0.9999
1,250: ¥0.8316
2,500: ¥0.7554
5,000: ¥0.693
23,786 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
1,500: ¥0.5874
1,670 对比
TPH3R003PL,LQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

8-SOPAdvance(5x5)

暂无价格 0 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

暂无价格 0 对比
AON7422E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售