首页 > 商品目录 > > > > PMPB13XNE,115代替型号比较

PMPB13XNE,115  与  RF4E110BNTR  区别

型号 PMPB13XNE,115 RF4E110BNTR
唯样编号 A36-PMPB13XNE,115 A3-RF4E110BNTR
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 16mΩ@8A,4.5V 11.1mΩ
上升时间 - 12ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.7W 2W
Qg-栅极电荷 - 24nC
输出电容 155pF -
栅极电压Vgs ±12V 2V
典型关闭延迟时间 - 43ns
正向跨导 - 最小值 - 6S
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT1220 DFN2020-8
工作温度 -55°C ~ 150°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 11.3A 11A
系列 - RF4E110BN
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
输入电容 2195pF -
下降时间 - 11ns
典型接通延迟时间 - 14ns
库存与单价
库存 5,773 100
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
60+ :  ¥0.9544
200+ :  ¥0.6594
1,500+ :  ¥0.599
3,000+ :  ¥0.5594
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMPB13XNE,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB13XNE_SOT1220 N-Channel 16mΩ@8A,4.5V 1.7W -55°C ~ 150°C ±12V 30V 11.3A

¥0.9544 

阶梯数 价格
60: ¥0.9544
200: ¥0.6594
1,500: ¥0.599
3,000: ¥0.5594
5,773 当前型号
DMN3020UFDF-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.03W(Ta) ±12V U-DFN2020-6(F 类) -55℃~150℃(TJ) 30V 15A(Tc)

¥0.9702 

阶梯数 价格
60: ¥0.9702
200: ¥0.7465
1,500: ¥0.6485
3,000: ¥0.5643
4,660 对比
RF4E110BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

11A 2W 11.1mΩ 30V 2V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

¥1.9453 

阶梯数 价格
80: ¥1.9453
100: ¥1.5716
500: ¥1.4949
1,000: ¥1.4374
2,000: ¥1.3991
2,757 对比
RF4E110BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

11A 2W 11.1mΩ 30V 2V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

¥1.551 

阶梯数 价格
40: ¥1.551
100: ¥1.199
400 对比
RF4E110BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

11A 2W 11.1mΩ 30V 2V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

¥5.1028 

阶梯数 价格
1: ¥5.1028
100: ¥2.8933
1,500: ¥1.8343
3,000: ¥1.3666
100 对比
RF4E110BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

11A 2W 11.1mΩ 30V 2V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 100 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消