| 制造商编号 | PMPB13XNE,115 |
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| 商品别名 | PMPB13XNE |
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A36-PMPB13XNE,115 |
| 供货 | 严选 |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | SOT1220 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 16mΩ@8A,4.5V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.7W | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C | |
| 栅极电压Vgs | ±12V | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 输入电容 | 2195pF | |
| 输出电容 | 155pF | |
| 连续漏极电流Id | 11.3A |
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PMPB13XNE,115
自营库存：15090
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥0.9544 总价：￥57.264 |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：60 | 倍数：1 |
生产日期 : 两年外
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件，与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr，可在高环境温度下实现最佳效率
具有较高的集电极电流能力IC和ICM，非常适合用于线性稳压器、电源管理以及高侧开关等各类应用
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 288,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 114,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,050 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| PSMN6R0-30YLDX | 24,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PMPB13XNE,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PMPB13XNE_SOT1220 N-Channel 16mΩ@8A,4.5V 1.7W -55°C ~ 150°C ±12V 30V 11.3A |
￥0.9544
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5,773 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMN3020UFDF-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 2.03W(Ta) ±12V U-DFN2020-6(F 类) -55℃~150℃(TJ) 30V 15A(Tc) |
￥0.9702
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4,660 | 对比 | ||||||||||||
;;6.jpg)
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RF4E110BNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.1mΩ 30V 2V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥1.9453
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2,757 | 对比 | ||||||||||||
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RF4E110BNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.1mΩ 30V 2V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥1.551
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400 | 对比 | ||||||||||||
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RF4E110BNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.1mΩ 30V 2V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥5.1028
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100 | 对比 | ||||||||||||
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RF4E110BNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.1mΩ 30V 2V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 100 | 对比 |
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