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MUN5212DW1T1G  与  DCX124EUQ-13-F  区别

型号 MUN5212DW1T1G DCX124EUQ-13-F
唯样编号 A36-MUN5212DW1T1G A36-DCX124EUQ-13-F-1
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 达林顿晶体管 车规
描述 PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 10
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) 500nA -
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA -
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 5mA,10V -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 300µA,10mA -
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) 22k -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) 250mV @ 300µA,10mA -
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V -
FET类型 NPN -
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA -
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 5mA,10V -
封装/外壳 SC-88 -
集电极_发射极击穿电压VCEO 50V -
集电极最大允许电流Ic 100mA -
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 22k -
库存与单价
库存 4,761 20,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
130+ :  ¥0.4002
200+ :  ¥0.297
1,500+ :  ¥0.2592
3,000+ :  ¥0.2295
90+ :  ¥0.6218
100+ :  ¥0.5078
500+ :  ¥0.461
2,500+ :  ¥0.4271
5,000+ :  ¥0.399
10,000+ :  ¥0.3733
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MUN5212DW1T1G ON Semiconductor 达林顿晶体管

SC-88

¥0.4002 

阶梯数 价格
130: ¥0.4002
200: ¥0.297
1,500: ¥0.2592
3,000: ¥0.2295
4,761 当前型号
PUMH11,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMH11_SOT-363

¥0.2245 

阶梯数 价格
570: ¥0.2245
1,000: ¥0.174
1,500: ¥0.1426
3,000: ¥0.1262
42,000 对比
PUMD2,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD2_SOT-363

¥0.8096 

阶梯数 价格
70: ¥0.8096
200: ¥0.3185
1,500: ¥0.231
3,000: ¥0.159
41,863 对比
PUMH1,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMH1_SOT-363

¥0.2245 

阶梯数 价格
570: ¥0.2245
1,000: ¥0.174
1,500: ¥0.1426
3,000: ¥0.1262
30,000 对比
PUMD2,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD2_SOT-363

¥0.3031 

阶梯数 价格
10: ¥0.3031
100: ¥0.2245
1,000: ¥0.174
1,500: ¥0.1426
3,000: ¥0.1262
20,343 对比
DCX124EUQ-13-F Diodes Incorporated  数据手册 车规

¥0.6218 

阶梯数 价格
90: ¥0.6218
100: ¥0.5078
500: ¥0.461
2,500: ¥0.4271
5,000: ¥0.399
10,000: ¥0.3733
20,000 对比

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