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MUN5212DW1T1G  与  PUMH1,115  区别

型号 MUN5212DW1T1G PUMH1,115
唯样编号 A36-MUN5212DW1T1G A-PUMH1,115
制造商 ON Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 达林顿晶体管 通用三极管
描述 PUMH1 Series 40 V 100 mA Surface Mount NPN Digital Transistor - SOT-363
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) 500nA -
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA -
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 5mA,10V -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 300µA,10mA -
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V -
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA -
封装/外壳 SC-88 SOT-363
VCBO - 50V
工作温度 - -65℃~150℃
VEBO - 10V
晶体管类型 - NPN/NPN
功率耗散Pd - 300mW
特征频率fT - 230MHz
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) 22k -
集电极-射极饱和电压 - 150mV
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) 250mV @ 300µA,10mA -
FET类型 NPN -
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 5mA,10V -
集电极_发射极击穿电压VCEO 50V -
尺寸 - 2.1*1.25*0.95
集电极连续电流 - 100mA
集电极最大允许电流Ic 100mA -
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 22k -
直流电流增益hFE - 60
集电极-发射极最大电压VCEO - 50V
库存与单价
库存 4,761 30,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
120+ :  ¥0.4446
200+ :  ¥0.286
3,000+ :  ¥0.255
570+ :  ¥0.2245
1,000+ :  ¥0.174
1,500+ :  ¥0.1426
3,000+ :  ¥0.1262
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MUN5212DW1T1G ON Semiconductor 达林顿晶体管

SC-88

¥0.4446 

阶梯数 价格
120: ¥0.4446
200: ¥0.286
3,000: ¥0.255
4,761 当前型号
PUMH11,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMH11_SOT-363

¥0.2245 

阶梯数 价格
570: ¥0.2245
1,000: ¥0.174
1,500: ¥0.1426
3,000: ¥0.1262
69,000 对比
PUMD2,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD2_SOT-363

¥0.8426 

阶梯数 价格
60: ¥0.8426
200: ¥0.3315
1,500: ¥0.2385
3,000: ¥0.165
49,082 对比
PUMH1,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMH1_SOT-363

¥0.2245 

阶梯数 价格
570: ¥0.2245
1,000: ¥0.174
1,500: ¥0.1426
3,000: ¥0.1262
30,000 对比
PUMD2,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD2_SOT-363

¥0.3031 

阶梯数 价格
10: ¥0.3031
100: ¥0.2245
1,000: ¥0.174
1,500: ¥0.1426
3,000: ¥0.1262
23,343 对比
DCX124EUQ-13-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

¥0.6908 

阶梯数 价格
80: ¥0.6908
100: ¥0.5642
500: ¥0.5122
2,500: ¥0.4745
5,000: ¥0.4433
10,000: ¥0.4147
20,000 对比

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