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IRLR3410TRPBF  与  DMN10H099SK3-13  区别

型号 IRLR3410TRPBF DMN10H099SK3-13
唯样编号 A36-IRLR3410TRPBF A36-DMN10H099SK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 17A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 105mΩ@10A,10V 80mΩ@3.3A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 79W(Tc) 34W(Tc)
栅极电压Vgs ±16V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak DPAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 17A 17A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V 1172pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 5V 25.2nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 5V -
库存与单价
库存 10,024 5,447
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥2.607
100+ :  ¥2.013
1,000+ :  ¥1.749
2,000+ :  ¥1.65
30+ :  ¥2.112
100+ :  ¥1.617
1,250+ :  ¥1.408
2,500+ :  ¥1.331
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR3410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥2.607 

阶梯数 价格
20: ¥2.607
100: ¥2.013
1,000: ¥1.749
2,000: ¥1.65
10,024 当前型号
DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥2.112 

阶梯数 价格
30: ¥2.112
100: ¥1.617
1,250: ¥1.408
2,500: ¥1.331
5,447 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.606 

阶梯数 价格
40: ¥1.606
100: ¥1.232
959 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.1633 

阶梯数 价格
1: ¥1.1633
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.7215
2,500: ¥0.57
283 对比
STD6NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IRLR3410TRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比

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