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IRLR2905ZTRPBF  与  STD30NF06LT4  区别

型号 IRLR2905ZTRPBF STD30NF06LT4
唯样编号 A36-IRLR2905ZTRPBF A3-STD30NF06LT4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.5mΩ@36A,10V -
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V -
栅极电压Vgs ±16V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 60A -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1570pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1570pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC -
库存与单价
库存 742 0
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
20+ :  ¥3.311
100+ :  ¥2.552
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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10: ¥10.9719
100: ¥8.1273
1,000: ¥6.3002
1,250: ¥5.1641
2,500: ¥4.7377
2,299 对比
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