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IRLR2905ZTRPBF  与  BUK7212-55B,118  区别

型号 IRLR2905ZTRPBF BUK7212-55B,118
唯样编号 A36-IRLR2905ZTRPBF A-BUK7212-55B,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.5mΩ@36A,10V 12mΩ@25A,10V
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) 167W
输出电容 - 379pF
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V -
栅极电压Vgs ±16V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak SOT428
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~185°C
连续漏极电流Id 60A 75A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1570pF @ 25V -
输入电容 - 1840pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1570pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC -
库存与单价
库存 742 2,299
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
20+ :  ¥3.311
100+ :  ¥2.552
10+ :  ¥10.9719
100+ :  ¥8.1273
1,000+ :  ¥6.3002
1,250+ :  ¥5.1641
2,500+ :  ¥4.7377
购买数量

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20: ¥3.311
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¥10.9719 

阶梯数 价格
10: ¥10.9719
100: ¥8.1273
1,000: ¥6.3002
1,250: ¥5.1641
2,500: ¥4.7377
2,299 对比
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