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IRLR024NTRLPBF  与  IRLR024NTRPBF  区别

型号 IRLR024NTRLPBF IRLR024NTRPBF
唯样编号 A36-IRLR024NTRLPBF A36-IRLR024NTRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 45 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ@10A,10V 65mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 45W(Tc) 45W(Tc)
栅极电压Vgs ±16V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak D-Pak
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 17A 17A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 480pF @ 25V 480pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 5V 15nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 480pF @ 25V 480pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 5V 15nC @ 5V
库存与单价
库存 908 16,065
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥2.178
100+ :  ¥1.738
750+ :  ¥1.551
30+ :  ¥1.815
100+ :  ¥1.397
1,000+ :  ¥1.166
2,000+ :  ¥0.968
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR024NTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥2.178 

阶梯数 价格
30: ¥2.178
100: ¥1.738
750: ¥1.551
908 当前型号
IRLR024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥1.815 

阶梯数 价格
30: ¥1.815
100: ¥1.397
1,000: ¥1.166
2,000: ¥0.968
16,065 对比
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.608 

阶梯数 价格
20: ¥3.608
100: ¥3.003
1,153 对比
AOD444 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.595 

阶梯数 价格
40: ¥1.595
100: ¥1.221
259 对比
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
AUIRLR024NTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比

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