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IRLML6402TRPBF  与  IRLML5203TRPBF  区别

型号 IRLML6402TRPBF IRLML5203TRPBF
唯样编号 A36-IRLML6402TRPBF A36-IRLML5203TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 Single P-Channel 30 V 1.25 W 9.5 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ@3.7A,4.5V 98mΩ@3A,10V
漏源极电压Vds 20V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W 1.25W(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.7A 3A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 633pF @ 10V 510pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 5V 14nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 510pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
库存与单价
库存 24,409 31,555
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
70+ :  ¥0.7425
200+ :  ¥0.5655
1,500+ :  ¥0.4927
3,000+ :  ¥0.4342
70+ :  ¥0.7326
200+ :  ¥0.5967
1,500+ :  ¥0.5421
3,000+ :  ¥0.507
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.7425 

阶梯数 价格
70: ¥0.7425
200: ¥0.5655
1,500: ¥0.4927
3,000: ¥0.4342
24,409 当前型号
DMG2305UX-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.4316 

阶梯数 价格
120: ¥0.4316
200: ¥0.2795
1,500: ¥0.279
3,000: ¥0.2475
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DMG2305UX-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 45,000 对比
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SOT-23

¥0.7326 

阶梯数 价格
70: ¥0.7326
200: ¥0.5967
1,500: ¥0.5421
3,000: ¥0.507
31,555 对比
IRLML5203TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥1.2937 

阶梯数 价格
120: ¥1.2937
500: ¥1.1691
1,000: ¥1.1691
2,000: ¥1.1595
4,000: ¥1.1595
17,870 对比
RTR030P02TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SC-96

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
200: ¥0.8723
1,500: ¥0.759
3,000: ¥0.66
7,171 对比

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