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IRLML6402TRPBF  与  DMG2305UX-7  区别

型号 IRLML6402TRPBF DMG2305UX-7
唯样编号 A36-IRLML6402TRPBF A3-DMG2305UX-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 P-Channel 20 V 52 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ@3.7A,4.5V 52mΩ@4.2A,4.5V
上升时间 - 13.7ns
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W 1.4W
Qg-栅极电荷 - 10.2nC
栅极电压Vgs ±12V ±8V
典型关闭延迟时间 - 79.3ns
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.7A 5A
系列 HEXFET® DMG2305
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA 900mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 633pF @ 10V 808pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 5V 10.2nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 1.8V,4.5V
下降时间 - 34.7ns
典型接通延迟时间 - 10.8ns
库存与单价
库存 24,409 45,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
70+ :  ¥0.7425
200+ :  ¥0.5655
1,500+ :  ¥0.4927
3,000+ :  ¥0.4342
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.7425 

阶梯数 价格
70: ¥0.7425
200: ¥0.5655
1,500: ¥0.4927
3,000: ¥0.4342
24,409 当前型号
DMG2305UX-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.4316 

阶梯数 价格
120: ¥0.4316
200: ¥0.2795
1,500: ¥0.279
3,000: ¥0.2475
53,929 对比
DMG2305UX-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 45,000 对比
IRLML5203TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.7326 

阶梯数 价格
70: ¥0.7326
200: ¥0.5967
1,500: ¥0.5421
3,000: ¥0.507
31,555 对比
IRLML5203TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥1.2937 

阶梯数 价格
120: ¥1.2937
500: ¥1.1691
1,000: ¥1.1691
2,000: ¥1.1595
4,000: ¥1.1595
17,870 对比
RTR030P02TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SC-96

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
200: ¥0.8723
1,500: ¥0.759
3,000: ¥0.66
7,171 对比

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