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IRLML6346TRPBF  与  DMG3418L-7  区别

型号 IRLML6346TRPBF DMG3418L-7
唯样编号 A36-IRLML6346TRPBF A3-DMG3418L-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 80 mOhm 2.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 63mΩ@3.4A,4.5V 60mΩ@4A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta) 1.4W(Ta)
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
栅极电压Vgs ±12V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 Micro3™/SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.4A 4A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 24V -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 270pF @ 24V 464.3pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.9nC @ 4.5V 5.5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 270pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.9nC -
库存与单价
库存 4,677 24,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
70+ :  ¥0.7326
200+ :  ¥0.5967
1,500+ :  ¥0.5421
3,000+ :  ¥0.507
暂无价格
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70: ¥0.7326
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