首页 > 商品目录 > > > > IRFR3910TRPBF代替型号比较

IRFR3910TRPBF  与  IRFR3910TRLPBF  区别

型号 IRFR3910TRPBF IRFR3910TRLPBF
唯样编号 A36-IRFR3910TRPBF A-IRFR3910TRLPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 0.115 Ohm 44 nC 79 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 115mΩ@10A,10V 115mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 79W 79W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 16A 16A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 640pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 44nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 640pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 44nC @ 10V
库存与单价
库存 587 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.223
100+ :  ¥2.486
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR3910TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

¥3.223 

阶梯数 价格
20: ¥3.223
100: ¥2.486
587 当前型号
DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥2.112 

阶梯数 价格
30: ¥2.112
100: ¥1.617
1,250: ¥1.408
2,500: ¥1.331
5,447 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.1633 

阶梯数 价格
1: ¥1.1633
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.7215
2,500: ¥0.57
283 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.606 

阶梯数 价格
40: ¥1.606
100: ¥1.232
259 对比
IRFR3910TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
BUK7275-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7275-100A_SOT428

¥5.6376 

阶梯数 价格
490: ¥5.6376
1,000: ¥4.3702
1,250: ¥3.5821
2,500: ¥3.2863
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售