首页 > 商品目录 > > > > IRFH3702TRPBF代替型号比较

IRFH3702TRPBF  与  AON6370  区别

型号 IRFH3702TRPBF AON6370
唯样编号 A36-IRFH3702TRPBF A-AON6370
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH3702TRPBF, 42 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 3mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.8mΩ 7.2 mΩ @ 20A,10V
引脚数目 8 -
最小栅阈值电压 1.35V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 - 8-DFN(5x6)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 42A 23A(Ta),47A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
每片芯片元件数目 1 Ohms -
正向二极管电压 1V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1510pF @ 15V -
高度 0.95mm -
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 11 ns -
晶体管材料 Si -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.8W 6.2W(Ta),26W(Tc)
晶体管配置 -
FET类型 - N-Channel
系列 HEXFET -
栅极电荷Qg - 13nC @ 10V
典型接通延迟时间 9.6 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V -
正向跨导 37S -
库存与单价
库存 7 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH3702TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 7 当前型号
AON6368 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥2.5385 

阶梯数 价格
1: ¥2.5385
100: ¥2.0204
1,000: ¥1.4559
1,500: ¥1.2532
3,000: ¥0.99
3,000 对比
DMTH3004LFGQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比
AON6370 AOS  数据手册 功率MOSFET

8-DFN(5x6)

暂无价格 0 对比
AON6594 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

暂无价格 0 对比
AON6202 AOS 功率MOSFET

8-DFN(5x6)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售