| 制造商编号 | IRFH3702TRPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A36-IRFH3702TRPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH3702TRPBF, 42 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 25µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14nC @ 4.5V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1510pF @ 15V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 连续漏极电流Id | 42A | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 11.8mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1.35V | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.8W | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | |
| 正向跨导 | 37S | |
| 正向二极管电压 | 1V | |
| 宽度 | 3mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型关断延迟时间 | 11 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 9.6 ns |
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFH3702TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 7 | 当前型号 | |||||||||||||
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AON6368 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN5x6 |
￥2.5385
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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DMTH3004LFGQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AON6370 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-DFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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|
AON6594 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN5x6 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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|
AON6202 | AOS | 功率MOSFET |
8-DFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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