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IRF8707TRPBF  与  IRF8707GTRPBF  区别

型号 IRF8707TRPBF IRF8707GTRPBF
唯样编号 A36-IRF8707TRPBF A-IRF8707GTRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N沟道,30V,11A,11.9mΩ@10V
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.9mΩ@11A,10V 17.5mΩ
引脚数目 - 8
最小栅阈值电压 - 1.35V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 8-SO -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11A 11A
长度 - 5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 760pF @ 15V 760pF @ 15V
高度 - 1.50mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 7.3 ns
漏源极电压Vds 30V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W
晶体管配置 -
FET类型 N-Channel -
系列 HEXFET® HEXFET
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 760pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.3nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 - 6.7 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.3nC @ 4.5V 9.3nC @ 4.5V
库存与单价
库存 20,714 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.54
100+ :  ¥1.188
1,000+ :  ¥0.9889
2,000+ :  ¥0.8987
4,000+ :  ¥0.825
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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