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IRF7842TRPBF  与  RS6G120BGTB1  区别

型号 IRF7842TRPBF RS6G120BGTB1
唯样编号 A36-IRF7842TRPBF A33-RS6G120BGTB1-0
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 2.5 W 50 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5mΩ@17A,10V 1.34mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 104W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO HSOP8 (Single)
连续漏极电流Id 18A(Ta) 120A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4500pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 5,908 1,756
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
20+ :  ¥4.532
100+ :  ¥3.795
1,000+ :  ¥3.509
2,000+ :  ¥3.344
4,000+ :  ¥3.179
3+ :  ¥70.172
10+ :  ¥15.9356
50+ :  ¥11.0294
100+ :  ¥10.4161
500+ :  ¥10.0041
1,000+ :  ¥9.9274
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7842TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥4.532 

阶梯数 价格
20: ¥4.532
100: ¥3.795
1,000: ¥3.509
2,000: ¥3.344
4,000: ¥3.179
5,908 当前型号
IRF7468TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
DMN3007LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOP

暂无价格 0 对比
DMN3007LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOP

暂无价格 0 对比
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥70.172 

阶梯数 价格
3: ¥70.172
10: ¥15.9356
50: ¥11.0294
100: ¥10.4161
500: ¥10.0041
1,000: ¥9.9274
1,756 对比
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比

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