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IRF7313TRPBF  与  DMG4822SSD-13  区别

型号 IRF7313TRPBF DMG4822SSD-13
唯样编号 A36-IRF7313TRPBF A36-DMG4822SSD-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet 30 V 2 W 33 nC Generation V Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 29mΩ@5.8A,10V 20mΩ
上升时间 - 7.9ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1.42W
Qg-栅极电荷 - 10.5nC
栅极电压Vgs - 25V
典型关闭延迟时间 - 14.6ns
正向跨导 - 最小值 - 200mS
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 6.5A 10A
系列 HEXFET® DMG4822
通道数量 - 2Channel
配置 - Dual
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V -
下降时间 - 3.1ns
典型接通延迟时间 - 2.9ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V -
库存与单价
库存 531 1,079
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥2.519
100+ :  ¥2.013
30+ :  ¥2.2
100+ :  ¥1.705
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7313TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥2.519 

阶梯数 价格
20: ¥2.519
100: ¥2.013
531 当前型号
AO4822A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥2.574 

阶梯数 价格
20: ¥2.574
100: ¥2.046
750: ¥1.837
1,500: ¥1.727
3,000: ¥1.65
3,194 对比
AO4842 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
200: ¥0.8712
1,500: ¥0.7579
2,520 对比
DMG4822SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥2.2 

阶梯数 价格
30: ¥2.2
100: ¥1.705
1,079 对比
ZXMN3G32DN8TA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥3.432 

阶梯数 价格
20: ¥3.432
50: ¥2.64
268 对比
AO4822A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥3.2745 

阶梯数 价格
490: ¥3.2745
1,000: ¥2.5767
1,500: ¥2.0151
3,000: ¥1.5718
0 对比

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