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功率MOSFET   SO-8

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制造商编号 DMG4822SSD-13
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A36-DMG4822SSD-13
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
连续漏极电流Id:10A Pd-功率耗散(Max):1.42W Rds On(Max)@Id,Vgs:20mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:25V
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
连续漏极电流Id 10A
Pd-功率耗散(Max) 1.42W
Qg-栅极电荷 10.5nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ
漏源极电压Vds 30V
栅极电压Vgs 25V
上升时间 7.9ns
下降时间 3.1ns
典型关闭延迟时间 14.6ns
典型接通延迟时间 2.9ns
封装/外壳 SO-8
正向跨导 - 最小值 200mS
系列 DMG4822
通道数量 2Channel
配置 Dual
工作温度 -55°C~150°C
FET类型 N-Channel
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库存 :  1,079

价格梯度 单价(含税)
30+ ¥2.2
100+ ¥1.705
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

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最小包:2,500 
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交期: 3天-15天
起订量:30 倍数:1

特殊说明

生产日期  :  23+

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