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IRF3808PBF  与  STP75NF75  区别

型号 IRF3808PBF STP75NF75
唯样编号 A36-IRF3808PBF A3-STP75NF75
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 75 V 330 W 220 nC Through Hole Mosfet - TO-220-3 MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 7mΩ -
漏源极电压Vds 75V -
Pd-功率耗散(Max) 330W -
Qg-栅极电荷 150nC -
栅极电压Vgs 20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 140A -
系列 HEXFET® -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5310pF @ 25V -
长度 10mm -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 220nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5310pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 220nC @ 10V -
高度 15.65mm -
库存与单价
库存 138 300,000
工厂交货期 3 - 15天 5 - 7天
单价(含税)
8+ :  ¥6.71
100+ :  ¥5.368
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3808PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

¥6.71 

阶梯数 价格
8: ¥6.71
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