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IRF3808PBF  与  STP140NF75  区别

型号 IRF3808PBF STP140NF75
唯样编号 A36-IRF3808PBF A3-STP140NF75
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 75 V 330 W 220 nC Through Hole Mosfet - TO-220-3 N-Channel 75 V 7.5 mO Flange Mount STripFET™III Power MosFet - TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 7mΩ 7.5mΩ@70A,10V
漏源极电压Vds 75V 75V
Pd-功率耗散(Max) 330W 310W(Tc)
Qg-栅极电荷 150nC -
栅极电压Vgs 20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 140A 120A
系列 HEXFET® STripFET™ III
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5310pF @ 25V 5000pF @ 25V
长度 10mm -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 220nC @ 10V 218nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5310pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 220nC @ 10V -
高度 15.65mm -
库存与单价
库存 138 3,000
工厂交货期 3 - 15天 5 - 7天
单价(含税)
8+ :  ¥6.71
100+ :  ¥5.368
暂无价格
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