首页 > 商品目录 > > > > IRF3710STRLPBF代替型号比较

IRF3710STRLPBF  与  PSMN009-100B,118  区别

型号 IRF3710STRLPBF PSMN009-100B,118
唯样编号 A36-IRF3710STRLPBF A-PSMN009-100B,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ@28A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 230W
输出电容 - 620pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 57A 75A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3130pF @ 25V -
输入电容 - 8250pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 8.8mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3130pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
库存与单价
库存 22 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
8+ :  ¥6.38
210+ :  ¥11.8159
400+ :  ¥10.0135
800+ :  ¥9.1867
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3710STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥6.38 

阶梯数 价格
8: ¥6.38
22 当前型号
AOB2910L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥5.102 

阶梯数 价格
1: ¥5.102
100: ¥3.6765
400: ¥3.1646
800: ¥2.5
800 对比
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
BUK9628-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9628-100A_SOT404

¥15.8541 

阶梯数 价格
180: ¥15.8541
400: ¥12.386
800: ¥10.1525
0 对比
IRF3710STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
PSMN009-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN009-100B_SOT404

¥11.8159 

阶梯数 价格
210: ¥11.8159
400: ¥10.0135
800: ¥9.1867
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售