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IRF3710STRLPBF  与  AOB2910L  区别

型号 IRF3710STRLPBF AOB2910L
唯样编号 A36-IRF3710STRLPBF A-AOB2910L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 7
Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ@28A,10V 23.5mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 32.5mΩ
Qgd(nC) - 2.5
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 7
封装/外壳 D2PAK TO-263
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 57A 30A
Ciss(pF) - 1190
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3130pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 30
Td(off)(ns) - 20
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 50W
Qrr(nC) - 145
VGS(th) - 2.7
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3130pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
Coss(pF) - 95
Qg*(nC) - 7
库存与单价
库存 22 800
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
8+ :  ¥6.38
1+ :  ¥5.102
100+ :  ¥3.6765
400+ :  ¥3.1646
800+ :  ¥2.5
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3710STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥6.38 

阶梯数 价格
8: ¥6.38
22 当前型号
AOB2910L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥5.102 

阶梯数 价格
1: ¥5.102
100: ¥3.6765
400: ¥3.1646
800: ¥2.5
800 对比
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
BUK9628-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9628-100A_SOT404

¥15.8541 

阶梯数 价格
180: ¥15.8541
400: ¥12.386
800: ¥10.1525
0 对比
IRF3710STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
PSMN009-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN009-100B_SOT404

¥11.8159 

阶梯数 价格
210: ¥11.8159
400: ¥10.0135
800: ¥9.1867
0 对比

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