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IRF3205PBF  与  IPP100N06S2L05AKSA1  区别

型号 IRF3205PBF IPP100N06S2L05AKSA1
唯样编号 A36-IRF3205PBF A-IPP100N06S2L05AKSA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 8 mOhm 146 nC 200 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 300W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@62A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5660pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 110A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 230nC @ 10V
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3247pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 146nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4.7 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 55V
库存与单价
库存 4,486 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.431
50+ :  ¥1.881
1,000+ :  ¥1.562
暂无价格
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