制造商编号 | IPP084N06L3 G |
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商品别名 | IPP084N06L3GXKSA1 |
制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-IPP084N06L3 G |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:50A Rds On(Max)@Id,Vgs:8.4mΩ 栅极电压Vgs:20V Pd-功率耗散(Max):79W
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
通道数量 | 1Channel | |
漏源极电压Vds | 60V | |
连续漏极电流Id | 50A | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.4mΩ | |
栅极电压Vgs | 20V | |
配置 | Single | |
Pd-功率耗散(Max) | 79W | |
高度 | 15.65mm | |
长度 | 10mm | |
系列 | OptiMOS3 | |
FET类型 | N-Channel | |
宽度 | 4.4mm | |
下降时间 | 7ns | |
上升时间 | 26ns | |
典型关闭延迟时间 | 37ns | |
典型接通延迟时间 | 15ns | |
工作温度 | -55°C~175°C |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |