首页 > 商品目录 > > > > FDV305N代替型号比较

FDV305N  与  RUR020N02TL  区别

型号 FDV305N RUR020N02TL
唯样编号 A36-FDV305N A33-RUR020N02TL-1
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 20 V 220 mOhm SMT PowerTrench Mosfet - SOT-23-3 RUR020N02 Series 20 V 2 A 2 nC Surface Mount N-Channel Mosfet - TSMT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 220m Ohms@900mA,4.5V 105mΩ@2A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 350mW(Ta) 540mW(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 TSMT
连续漏极电流Id 0.9A 2A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA 1V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 109pF @ 10V 180pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.5nC @ 4.5V 2nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 1.5V,4.5V
库存与单价
库存 8,527 8,830
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
80+ :  ¥0.7139
200+ :  ¥0.5811
1,500+ :  ¥0.5291
3,000+ :  ¥0.494
110+ :  ¥1.4757
500+ :  ¥1.2362
1,000+ :  ¥1.1978
2,000+ :  ¥1.1116
4,000+ :  ¥1.102
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDV305N ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

¥0.7139 

阶梯数 价格
80: ¥0.7139
200: ¥0.5811
1,500: ¥0.5291
3,000: ¥0.494
8,527 当前型号
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥0.8492 

阶梯数 价格
60: ¥0.8492
200: ¥0.5852
20,371 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥1.4757 

阶梯数 价格
110: ¥1.4757
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.1978
2,000: ¥1.1116
4,000: ¥1.102
19,416 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥1.4757 

阶梯数 价格
110: ¥1.4757
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.1978
2,000: ¥1.1116
4,000: ¥1.102
8,830 对比
DMN2300U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.5733
1,447 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥1.4757 

阶梯数 价格
110: ¥1.4757
500: ¥1.2362
713 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售