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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.5V,4.5V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 1mA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2nC @ 4.5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 180pF @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±10V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 540mW(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 105mΩ@2A,4.5V | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TSMT | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 2A |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量：110 | 倍数：1 |
生产年份 : 2022 年
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LBSS138LT1G | 120,000 |
| PJA3401-AU_R1_000A1 | 39,000 |
| L2N7002DW1T1G | 30,000 |
| DMN2005LP4K-7 | 18,000 |
| LSI1012XT1G | 14,600 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
TSMT |
￥1.4757
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713 | 当前型号 | ||||||||||
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DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
￥0.4056
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145,448 | 对比 | ||||||||||
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MGSF1N02LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) |
暂无价格 | 142,000 | 对比 | ||||||||||
|
DMG3420U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 120,000 | 对比 | ||||||||||
|
AO3416 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 |
￥0.7304
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43,591 | 对比 | ||||||||||
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|
DMG3420U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
￥0.4732
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23,450 | 对比 |
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