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FDS86242  与  RS6R035BHTB1  区别

型号 FDS86242 RS6R035BHTB1
唯样编号 A36-FDS86242 A3-RS6R035BHTB1
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 150 V 2.5 W 13 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 Nch 150V 35A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 67m Ohms@4.1A,10V 41mΩ@35A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),5W(Tc) 73W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC HSOP8 (Single)
连续漏极电流Id 4.1A 35A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 760pF @ 75V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
库存与单价
库存 449 200
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥3.179
100+ :  ¥2.662
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS86242 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 67m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC

¥3.179 

阶梯数 价格
20: ¥3.179
100: ¥2.662
449 当前型号
RS6R035BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 41mΩ@35A,10V -55℃~150℃ ±20V 150V 35A

暂无价格 200 对比
RS6R035BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 41mΩ@35A,10V -55℃~150℃ ±20V 150V 35A

¥13.5821 

阶梯数 价格
1: ¥13.5821
100: ¥6.7911
100 对比
RS6R060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C

¥18.9871 

阶梯数 价格
1: ¥18.9871
100: ¥9.4935
95 对比
RS6R060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C

暂无价格 90 对比
RS6R060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C

暂无价格 5 对比

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