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FDN337N  与  IRLML6346TRPBF  区别

型号 FDN337N IRLML6346TRPBF
唯样编号 A36-FDN337N A36-IRLML6346TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 65 mOhm Surface Mount Field Effect Transistor - SSOT-3 N-Channel 30 V 80 mOhm 2.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V 63mΩ@3.4A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 1.3W(Ta)
栅极电压Vgs ±8V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.2A(Ta) 3.4A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 24V
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 10V 270pF @ 24V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9nC @ 4.5V 2.9nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 10V 270pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9nC @ 4.5V 2.9nC
库存与单价
库存 8,565 15,477
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
60+ :  ¥0.9966
200+ :  ¥0.6875
1,500+ :  ¥0.6248
3,000+ :  ¥0.5841
70+ :  ¥0.7326
200+ :  ¥0.5967
1,500+ :  ¥0.5421
3,000+ :  ¥0.507
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN337N ON Semiconductor 功率MOSFET

SuperSOT SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.9966 

阶梯数 价格
60: ¥0.9966
200: ¥0.6875
1,500: ¥0.6248
3,000: ¥0.5841
8,565 当前型号
DMG3402L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 42,500 对比
DMN3200U-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 42,500 对比
DMG3418L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.5395 

阶梯数 价格
100: ¥0.5395
200: ¥0.3484
1,500: ¥0.3029
3,000: ¥0.2678
28,440 对比
DMG3418L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 24,000 对比
IRLML6346TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7326 

阶梯数 价格
70: ¥0.7326
200: ¥0.5967
1,500: ¥0.5421
3,000: ¥0.507
15,477 对比

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