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FDN335N  与  DMG3418L-7  区别

型号 FDN335N DMG3418L-7
唯样编号 A36-FDN335N A3-DMG3418L-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 20 V 0.07 Ohm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 70 毫欧 @ 1.7A,4.5V 60mΩ@4A,10V
漏源极电压Vds 20V 30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 1.4W(Ta)
栅极电压Vgs ±8V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.7A(Ta) 4A
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 310pF @ 10V 464.3pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 4.5V 5.5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 310pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 9,000 24,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
40+ :  ¥1.639
100+ :  ¥1.265
750+ :  ¥1.0549
1,500+ :  ¥0.9592
3,000+ :  ¥0.88
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN335N ON Semiconductor 通用MOSFET

SuperSOT SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥1.639 

阶梯数 价格
40: ¥1.639
100: ¥1.265
750: ¥1.0549
1,500: ¥0.9592
3,000: ¥0.88
9,000 当前型号
DMG3418L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.5395 

阶梯数 价格
100: ¥0.5395
200: ¥0.3484
1,500: ¥0.3029
3,000: ¥0.2678
28,440 对比
DMG3418L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 24,000 对比
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SOT-23-3

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阶梯数 价格
100: ¥0.5544
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SOT-23

¥0.957 

阶梯数 价格
60: ¥0.957
200: ¥0.66
1,500: ¥0.6006
3,000: ¥0.561
9,000 对比

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