首页 > 商品目录 > > > DMTH6004SK3-13代替型号比较

DMTH6004SK3-13  与  IPD053N06N  区别

型号 DMTH6004SK3-13 IPD053N06N
唯样编号 A36-DMTH6004SK3-13 A-IPD053N06N
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.5mΩ
上升时间 - 12ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 3.9W(Ta),180W(Tc) 83W
Qg-栅极电荷 - 32nC
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3.8mΩ@90A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4556 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 38S
典型关闭延迟时间 - 20ns
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 95.4 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 -
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 100A(Tc) 45A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS5
驱动电压 10V -
长度 - 6.5mm
下降时间 - 7ns
高度 - 2.3mm
库存与单价
库存 1,595 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
9+ :  ¥5.577
100+ :  ¥4.653
1,250+ :  ¥4.224
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6004SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

¥5.577 

阶梯数 价格
9: ¥5.577
100: ¥4.653
1,250: ¥4.224
1,595 当前型号
IPD053N06NATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD053N06N_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
TK4R4P06PL,RQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
DMTH6004SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IPD053N06N Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD053N06NATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售