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MOSFET   TO-252-3

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制造商编号 DMTH6004SK3Q-13
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A-DMTH6004SK3Q-13
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET N-CH 60V 100A TO252
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参数 参数值 操作
商品目录 MOSFET
FET类型 N-Channel
Pd-功率耗散(Max) 3.9W(Ta),180W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3.8mΩ@90A,10V
栅极电压Vgs ±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4556 pF @ 30 V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 95.4 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3
工作温度 -55℃~175℃(TJ)
漏源极电压Vds 60V
连续漏极电流Id 100A(Tc)
驱动电压 10V
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