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DMP4025LSS-13  与  RSH070P05GZETB  区别

型号 DMP4025LSS-13 RSH070P05GZETB
唯样编号 A36-DMP4025LSS-13 A-RSH070P05GZETB
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 40V 6A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 27mΩ@7A,10V
漏源极电压Vds 40V 45V
Pd-功率耗散(Max) 1.52W(Ta) 2W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 25mΩ@3A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1640 pF @ 20 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 33.7 nC @ 10 V -
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6A(Ta) 7A(Ta)
驱动电压 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4100pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 47.6nC @ 5V
库存与单价
库存 1,469 98
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
20+ :  ¥2.937
100+ :  ¥2.266
1,250+ :  ¥1.969
1+ :  ¥18.7779
100+ :  ¥10.8537
1,250+ :  ¥6.8812
2,500+ :  ¥4.9751
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP4025LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥2.937 

阶梯数 价格
20: ¥2.937
100: ¥2.266
1,250: ¥1.969
1,469 当前型号
RSH070P05GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥13.0704 

阶梯数 价格
20: ¥13.0704
50: ¥7.9918
100: ¥7.3593
500: ¥6.9377
1,000: ¥6.8515
1,125 对比
RSH070P05GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥18.7779 

阶梯数 价格
1: ¥18.7779
100: ¥10.8537
1,250: ¥6.8812
2,500: ¥4.9751
98 对比
IRF7404TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
RSH070P05GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

暂无价格 0 对比
IRF7404PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比

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