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功率MOSFET   8-SO

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制造商编号 IRF7404PBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-IRF7404PBF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
Single P-Channel 20 V 2.5 W 50 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.7V,4.5V
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@3.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 4.5V
栅极电压Vgs ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
FET类型 P-Channel
漏源极电压Vds 20V
连续漏极电流Id 6.7A
封装/外壳 8-SO
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