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DMP3036SSS-13  与  SI4435DY  区别

型号 DMP3036SSS-13 SI4435DY
唯样编号 A36-DMP3036SSS-13 A32-SI4435DY-1
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 30 V 20 mOhm 17 nC Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.9mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@9A,10V 0.035 0hms
引脚数目 - 8
最小栅阈值电压 - 1V
栅极电压Vgs ±25V -20 V、+20 V
封装/外壳 SO 4.9 x 3.9 x 1.57mm
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 11.4A 8.8 A
长度 - 4.9mm
最低工作温度 - -55 °C
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V 4.5V,10V
正向二极管电压 - 1.2V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
最高工作温度 - +175 °C
高度 - 1.57mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 42 ns
漏源极电压Vds 30V 1604 pF @ -15 V
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 1.4W(Ta) 2.5W
晶体管配置 -
FET类型 P-Channel 增强
系列 - PowerTrench
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1931pF @ 15V 1604pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16.5nC @ 10V 24nC @ 5V
典型接通延迟时间 - 13 ns
正向跨导 - 24S
库存与单价
库存 2,500 10
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
40+ :  ¥1.595
100+ :  ¥1.221
1,250+ :  ¥1.0384
2,500+ :  ¥0.88
1+ :  ¥0.556
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP3036SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

¥1.595 

阶梯数 价格
40: ¥1.595
100: ¥1.221
1,250: ¥1.0384
2,500: ¥0.88
2,500 当前型号
IRF9393TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

5mm

¥1.936 

阶梯数 价格
30: ¥1.936
100: ¥1.551
1,000: ¥1.375
2,000: ¥1.309
4,000: ¥1.243
19,918 对比
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥2.662 

阶梯数 价格
20: ¥2.662
100: ¥2.123
1,000: ¥1.903
2,000: ¥1.793
4,000: ¥1.705
16,146 对比
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 4,000 对比
SI4435DY ON Semiconductor 功率MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 4.9x3.9x1.57mm 4.9mm

¥0.556 

阶梯数 价格
1: ¥0.556
100: ¥0.4882
180 对比
SI4435DY ON Semiconductor 功率MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 4.9x3.9x1.57mm 4.9mm

¥0.556 

阶梯数 价格
1: ¥0.556
10 对比

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