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功率MOSFET   8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 4.9*3.9*1.57mm 4.9mm

特惠

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制造商编号 SI4435DY
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A32-SI4435DY
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
P-Channel 30 V 20 mOhm 17 nC Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
系列 PowerTrench®
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 8.8A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1604pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 20m Ohms@8.8A,10V
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FET类型 P-Channel
连续漏极电流Id 8.8 A
漏源极电压Vds 30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs 0.035 0hms
最小栅阈值电压 1V
栅极电压Vgs -20 V、+20 V
封装/外壳 SOIC
晶体管配置
引脚数目 8
FET类型 增强
类别 功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max) 2.5W
正向跨导 24S
最低工作温度 -55 °C
正向二极管电压 1.2V
每片芯片元件数目 1 Ohms
封装/外壳 4.9*3.9*1.57mm
宽度 3.9mm
系列 PowerTrench
晶体管材料 Si
漏源极电压Vds 1604 pF @ -15 V
典型关断延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 1.57mm
长度 4.9mm
最高工作温度 +175 °C
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4435DY ON Semiconductor 功率MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 4.9*3.9*1.57mm 4.9mm

¥0.556 

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1: ¥0.556
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