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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
系列 | PowerTrench® | |
漏源极电压Vds | 30V | |
连续漏极电流Id | 8.8A(Ta) | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 24nC @ 5V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1604pF @ 15V | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 20m Ohms@8.8A,10V | |
工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | |
FET类型 | P-Channel | |
连续漏极电流Id | 8.8 A | |
漏源极电压Vds | 30 V | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 0.035 0hms | |
最小栅阈值电压 | 1V | |
栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | |
封装/外壳 | SOIC | |
晶体管配置 | 单 | |
引脚数目 | 8 | |
FET类型 | 增强 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
Pd-功率耗散(Max) | 2.5W | |
正向跨导 | 24S | |
最低工作温度 | -55 °C | |
正向二极管电压 | 1.2V | |
每片芯片元件数目 | 1 Ohms | |
封装/外壳 | 4.9*3.9*1.57mm | |
宽度 | 3.9mm | |
系列 | PowerTrench | |
晶体管材料 | Si | |
漏源极电压Vds | 1604 pF @ -15 V | |
典型关断延迟时间 | 42 ns | |
典型接通延迟时间 | 13 ns | |
高度 | 1.57mm | |
长度 | 4.9mm | |
最高工作温度 | +175 °C |
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¥2
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单价:¥ 总价:¥ |
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最小包:100
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交期: 7天-14天 |
起订量:1 | 倍数:1 |
生产日期 : 04+
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SI4435DY | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 4.9*3.9*1.57mm 4.9mm |
¥0.556
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180 | 当前型号 | ||||||||||||||
IRF7416TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SO |
¥2.541
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19,741 | 对比 | |||||||||||||
IRF9393TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
5mm |
¥1.628
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15,112 | 对比 | |||||||||||||
AOSP21321 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 |
¥1.232
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5,571 | 对比 | |||||||||||||
IRF7416TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SO |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | |||||||||||||
AOSP21321 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 |
¥1.5385
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2,667 | 对比 |